[发明专利]一种磁性随机存取存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348376.6 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940207A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/80;H10N50/10;H10B61/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁性随机存取存储器(MRAM)及其制备方法，所述MRAM包括：基底；底电极；磁性隧道结；顶电极；第一保护层，包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽包裹所述磁性隧道结的侧壁和所述顶电极的侧壁，所述第一盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出；第二保护层，包括多个带有通孔的第二盖帽，所述第二盖帽包裹所述第一盖帽的侧壁和顶部，所述第二盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出。本申请实施例的MRAM可以更好地保护磁性隧道结，有利于增加后道顶部导线刻蚀阻挡的工艺窗口，而且制备方法简单，可以省去一道光罩，没有对位套刻难以对准的问题，还可以减轻MTJ侧壁金属沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机存取存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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