[发明专利]一种包含辅助磁场磁性顶电极的SOT-MRAM及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348374.7 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940212A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种包含辅助磁场磁性顶电极的SOT‑MRAM及其制备方法，所述SOT‑MRAM包括：基底；自旋轨道耦合层；磁性隧道结；硬掩膜层；保护层，包括多个带有通孔的第一盖帽，第一盖帽包裹磁性隧道结的侧壁和硬掩膜层的侧壁，第一盖帽的通孔允许所述硬掩膜层的顶部露出；第一介质层，包括多个带有通孔的第二盖帽，述第二盖帽设置在第一盖帽的侧壁上，第二盖帽的通孔允许硬掩膜层的顶部露出；磁性顶电极，磁性顶电极靠近基底一侧的表面为曲面并且所述曲面朝向基底弯曲。本申请的SOT‑MRAM的磁性顶电极的表面为曲面，离磁性隧道结自由层较近，可以更好地提供辅助磁场，减小磁性顶电极的厚度，而且制备工艺简单，可以避免损伤MTJ。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 辅助 磁场 磁性 电极 sot mram 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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