[发明专利]半导体结构、制作方法及半导体晶圆制作方法在审
| 申请号： | 202210324574.9 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116936510A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王骁;卢汉汉 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 谭果林 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括衬底层、至少一个半导体组件和电极件；至少一个半导体组件，由下而上堆叠在衬底层，每一半导体组件包括掺杂层和设置在掺杂层上的外延层；电极件，与掺杂层的上表面局部和掺杂层的侧面电连接。本技术方案能够使电极件与掺杂层的上表面和侧面形成欧姆接触，在对掺杂层刻蚀溶解时，提高刻蚀电流均匀性，解决质量运输的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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