[发明专利]相变存储材料、相变存储单元和相变存储器在审

专利信息
申请号: 202210318382.7 申请日: 2022-03-29
公开(公告)号: CN116940221A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 郑龙;宋志棠;宋三年;宋文雄;唐文涛;赵俊峰;罗时江 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/10
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 潘平
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请提供了一种相变存储材料、相变存储单元和相变存储器。该相变存储材料包括Nbδ(GexSbyTez)1‑δ,其中,Nb的原子含量δ为0<δ<1,Nbδ(GexSbyTez)1‑δ中,0<x≤10,0<y≤10,0<z≤10。该相变存储材料可实现相变存储器的多态存储,满足高精度神经形态计算的要求。
搜索关键词: 相变 存储 材料 单元 存储器
【主权项】:
暂无信息
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