[发明专利]将控制结构结合在垂直腔面发射激光器装置腔内的方法在审
| 申请号： | 202210115719.4 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN115275776A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | A.V.巴夫;M.G.彼得斯 | 申请（专利权）人： | 朗美通经营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 许睿峤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种使用多段生长序列在VCSEL装置腔内结合控制结构的方法，包括在基底上形成第一反射镜，在第一反射镜上形成活性区，在活性区的表面上形成间隔物，在间隔物的表面上形成控制结构，以及在控制结构上形成第二反射镜。在多段生长序列的MBE段期间，使用分子束外延MBE工艺形成活性区和间隔物。在多段生长序列的MOCVD段期间，使用金属有机化学气相沉积MOCVD工艺形成第二反射镜。在多段生长序列的MBE段和MOCVD段之间的过渡段期间，使用化学蚀刻工艺形成控制结构。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 结构 结合 垂直 发射 激光器 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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