[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件在审
| 申请号： | 202111139200.1 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113921611A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;周铸;秦海峰 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 侧面 超结槽栅 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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