[发明专利]芯片封装结构及制备方法、半导体结构的封装方法在审
| 申请号： | 202111091950.6 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115831897A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 范增焰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/603;H01L21/54 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种芯片封装结构及制备方法、半导体结构的封装方法，涉及半导体技术领域，解决芯片的良率低的技术问题，该芯片封装结构包括芯片、设置在芯片上的中间绝缘层和设置在中间绝缘层上的非导电胶层；所述芯片上设有多个导电凸柱，各所述导电凸柱贯穿中间绝缘层；中间绝缘层设有至少一组容纳孔，非导电胶层填充容纳孔，以使非导电胶层背离中间绝缘层的表面上形成有与容纳孔相匹配的凹槽；非导电胶层中的部分非导电胶在第一预设温度和预设压力下溢出非导电胶层并流动填充至凹槽内，以避免非导电胶溢出芯片边缘，从而提高了芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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