[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202110978870.6 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113745344A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 卓毅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。薄膜晶体管阵列基板包括衬底、设置在衬底上的平台层。氧化物有源层包括沟道部及两导体部。沟道部的顶面所在的水平面高度高于任一导体部的顶面所在的水平面高度。栅极绝缘层设置在氧化物有源层上栅极设置在栅极绝缘层上，且栅极在衬底上的正投影覆盖平台层及沟道部在衬底上的正投影。源极和漏极与导体部电连接。本申请薄膜晶体管阵列基板延长了氧化物有源层的导体化扩散路径，保证有效沟道长度，利于实现薄膜晶体管器件尺寸的缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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