[发明专利]基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法在审
| 申请号： | 202110921539.0 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113725079A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法。该表面处理方法包括以下步骤：提供基体，基体的一侧表面为非平整表面；在非平整表面上覆盖流体薄膜，使流体薄膜远离基体的一侧具有第一平整表面；将流体薄膜固化，得到具有第二平整表面的平坦层；沿第二平整表面对基体进行平坦化处理，使基体具有第三平整表面。在非平整表面覆盖上述流体薄膜后，平坦化工艺的对象由现有技术中基体的非平整表面变成流体薄膜固化后得到的平坦层的平整表面，从而降低了平坦化工艺的难度，保证了表面处理后基体表面的平整性。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 表面 处理 方法 预处理 衬底 以及 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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