[发明专利]电容阵列的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110772178.8 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113506772B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宛强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/033;H01L27/08;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种电容阵列的形成方法及半导体结构，电容阵列的形成方法包括：提供衬底，其包括阵列区和非阵列区，衬底内形成有基底层和介电层，基底层与介电层之间形成有第一阻挡层；在介电层表面形成分别对应于阵列区和非阵列区的第一阵列定义层和第二阵列定义层；在第一阵列定义层和第二阵列定义层表面形成图形转移层；以图形转移层为掩膜，图案化介电层和第二阵列定义层，形成位于阵列区的电容阵列；去除剩余的第二阵列定义层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阵列 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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