[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110651719.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113594312B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;李东昇 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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