[发明专利]槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备有效
| 申请号： | 202110581224.6 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327984B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李长泽;李泽宏;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 辛鸿飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备。该槽栅超结VDMOS器件包括元胞结构和开关管；元胞结构包括超结结构，超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，N型多晶硅区的上表面设有金属层，P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且N+源区紧邻沟槽栅极结构，每侧的N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属；开关管跨接在金属层与源极金属之间，当开关管导通时，P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 槽栅超结 vdmos 器件 芯片 终端设备 | ||
【主权项】：
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