[发明专利]一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机有效
| 申请号： | 202110579938.3 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113315474B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王科平;崔梦倩;魏国 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，由延迟锁相环、数据选择器和谐波抑制边沿合成器组成，延迟锁相环用于产生具有固定相位差的低频信号，数据选择器进行数据调制，选择通过的多路低频信号送到基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器中进行N倍频，通过电容耦合实现阶梯波的幅度和相位加权，得到具有谐波抑制功能的阶梯波载波，以实现抑制高频信号的三次和五次谐波。本发明所述的基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，由于电路不受输入频率限制，可适用于宽频带；且电路结构简单，通用性强，便于集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电容 耦合 谐波 抑制 边沿 合成 发射机 | ||
【主权项】：
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