[发明专利]一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法

摘要

本发明提供了一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括先后进行的正面磷扩散与背面硼扩散；所述正面磷扩散包括依次进行的扩磷预处理、扩磷前氧化、第一次通磷源、磷推进、第一次扩磷降温、第二次通磷源、第二次扩磷降温、第三次通磷源与扩磷后氧化；所述背面硼扩散包括依次进行的扩硼预处理、扩硼升温、第一次通硼源、第一次硼推进、第一次扩硼降温、第二次通硼源、第二次硼推进、第二次扩硼降温与扩硼后氧化。本发明提供的扩散方法实现了硅片中较为均匀的方阻分布，进一步减少了硅片表面的“死层”，降低了少子的复合损失，从而延长了少子的寿命。