[发明专利]一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构有效
| 申请号： | 202110572720.5 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113187840B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴志静;孙朋;温舒瑞;李凤明 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | F16F7/00 | 分类号： | F16F7/00;G10K11/162 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构，属于降噪减振领域，本发明提供一种具有双级带隙特性的二维声子晶体周期结构，双级结构中的每一级在高频和低频处都可以产生带隙，所谓的双级的第一级为多个单个胞元组合形成的规律排列，第二级为单个胞元内部不同截面的杆形成的，两级周期都可以产生带隙为本申请所要保护结构的独特之处，本发明提供的周期结构可以用于减振降噪，利用声子晶体的带隙特性可以阻止特定频率范围内弹性波或声波的传播，达到减振目的，与传统设计的同样框架结构相比，本发明质量小，并且形成带隙的范围宽，能够对更大频率范围内的弹性波或声波的传播进行抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双级带隙 特性 二维 晶体 周期 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110572720.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
