[发明专利]底层组成物与半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110558807.7 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113296359A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈建志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 制造半导体装置的方法包含在基板上形成底层。底层包含具有侧链目标基团与侧链有机基团或侧链光酸产生剂基团的主聚合物链的聚合物。主聚合物链为聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚乙烯基酯、聚甲基丙烯腈或聚甲基丙烯酰胺。侧链目标基团为取代或无取代的C2至C30二元醇基、C1至C30醛基或C3至C30酮基。侧链有机基团为具有光敏性官能团的C3至C30脂肪族或芳香基，且侧链光酸产生剂基团为被取代的C3至C50脂肪族或芳香基。在底层上形成光阻层。选择性地曝光光阻层。显影曝光的光阻层以形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 底层 组成 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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