[发明专利]陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型的构建方法在审
| 申请号： | 202110542541.7 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113297732A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郝敏如;张艳;邵敏 | 申请（专利权）人： | 西安石油大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型的构建方法，包括：获取单轴应变硅纳米N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，确定NMOSFET的陷阱电荷浓度，陷阱电荷包括氧化层陷阱电荷浓度及界面态陷阱电荷浓度，根据氧化层陷阱电荷浓度，确定第一阈值电压漂移量，并根据界面态陷阱电荷浓度，确定第二阈值电压漂移量，确定NMOSFET的阈值电压，根据第一阈值电压漂移量、第二阈值电压漂移量、NMOSFET的陷阱电荷浓度和阈值电压，构建陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型，有利于根据噪声定量评估总剂量辐照效应下MOS器件内部潜在缺陷的情况，从而保证MOS器件在辐射环境下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 陷阱 电荷 噪声 相关性 解析 模型 构建 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安石油大学，未经西安石油大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110542541.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
