[发明专利]一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法有效
| 申请号： | 202110534979.0 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113265699B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵长春;郭杰森;孙瑞锦;孟德忠;马宇欣;张泽宇;陈飞;刘天明;汪强强;武岳彤;侯东旭 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 杜立军 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法，所述方法包括：将锰方硼石晶体粉末置于石英管中，以5‑10℃/min的升温速率，升到950‑1050℃，保温2‑4h；然后在第一时间段内降温至700‑900℃，接着在第二时间段内降温至400‑500℃，之后炉冷，得到所述锰方硼石单晶热释电材料。本发明的熔体法生长锰方硼石单晶热释电材料的方法制备的锰方硼石单晶热释电材料，具有优异的热释电，且该方法制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔体法 生长 锰方硼石单晶热释电 材料 方法 | ||
【主权项】：
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