[发明专利]一种基于射频磁控溅射的锆钛酸钡薄膜退火方法在审
| 申请号： | 202110498532.2 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113215549A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宫代丽;成宏卜;张伟;胡芳仁;张雪花 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;H01L21/477;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 叶宇 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于射频磁控溅射的锆钛酸钡薄膜退火方法，属于锆钛酸钡制备技术领域，以钛酸锶为基体，溅射钌酸锶材料作为衬底，利用磁控溅射技术将其溅射到基体表面，然后利用锆钛酸钡靶材溅射锆钛酸钡材料镀在表面，其中锆钛酸钡靶材中锆含量为20mol.％。钌酸锶电极沉积的过程中，采用混合气氛溅射得到薄膜，锆钛酸钡薄膜沉积的过程中，采用混合气氛溅射，得到膜厚为280nm，溅射结束后，对样品进行保温处理，之后取出部分样品进行退火处理；本申请通过退火工艺有效增强了锆钛酸钡薄膜衍射峰的强度，改善锆钛酸钡薄膜的结晶性，进而提高了薄膜质量，其铁电性能明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 射频 磁控溅射 钛酸钡 薄膜 退火 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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