[发明专利]半导体存储装置及其形成方法有效
| 申请号： | 202110495955.9 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113224061B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;程恩萍;冯立伟;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包括衬底、有源结构、以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区和第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元，第二有源区设置在第一有源区外侧，并直接连接一部分的有源区单元，其中第二有源区包括多个第一开口，设置在第二有源区的侧边上。浅沟槽隔离设置在衬底中，围绕有源结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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