[发明专利]一种对电极型纳米电学传感器的制备方法有效
| 申请号： | 202110494575.3 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113237932B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王汉斌;罗毅;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 张晓林 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对电极型纳米电学传感器的制备方法，该方法首先在硅衬底上涂覆光刻胶，接着利用聚焦粒子束对光刻胶进行曝光并显影，光刻胶曝光显影后的形状截面为顶部开口小，底部开口大的正梯形或“凸”字型，最后利用物理气相沉积法在曝光的光刻胶上沉积金属，形成封闭的具有上下对电极的纳米流道。相比于现有的工艺，本发明公开的制备方法工艺步骤简单，成功率高，成本较低；利用本发明公开的制备方法制备的对电极型纳米电学传感器可以很容易将对电极间隙降低至40nm以下，最小可以低于5nm，显著提高对电极型纳米电学传感器的灵敏度，有利于实现单分子的高精度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 纳米 电学 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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