[发明专利]TMR磁场传感器在审
| 申请号： | 202110479973.8 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113093070A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;黄豪;胡忠强;周子尧;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/09 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；至少一个负电容电路，负电容电路与某一桥臂上的TMR单元并联，负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与一个输出端子相连，负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反。本发明在TMR磁场传感器中设置和TMR单元并联的负电容电路，通过负电容电路补偿推挽全桥电路的寄生电容，进而补偿推挽全桥电路的寄生电容，实现TMR磁场传感器的测量频率范围的拓展。 | ||
| 搜索关键词： | tmr 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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