[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 202110476411.8 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113299821A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林世杰;李乾铭;宋明远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110476411.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
