[发明专利]氮化铝压电MEMS谐振式压力传感器在审
| 申请号： | 202110473345.9 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113295303A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨健;赵广宏;许姣;尹玉刚;陈平 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10;G01L1/16;G01L9/00;G01L9/08 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 茹阿昌 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 氮化铝压电MEMS谐振式压力传感器，该芯片结构包括：压力敏感层、AlN压电谐振结构单元和密封盖板层。其中压力敏感层包含一感压膜结构和两个凸台结构，感压膜结构经凸台与AlN压电谐振结构单元相连。AlN压电谐振结构单元包括上电极层、氮化铝压电层、下电极层和绝缘层；上电极包括驱动电极和检测电极，分别用于驱动AlN压电谐振结构单元发生谐振和检测输出信号，上电极呈条状，位于AlN结构上表面中心线的两侧。密封盖板层包括凹槽和电极通孔，该盖板层通过键合工艺与AlN压电谐振结构单元连接，形成真空密封腔。本发明的谐振式压力传感器，可有效降低工艺制造难度、提高传感器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 压电 mems 谐振 压力传感器 | ||
【主权项】：
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