[发明专利]一种大导通电流的碳化硅二极管有效

专利信息
申请号: 202110471180.1 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113193052B 公开(公告)日: 2023-02-14
发明(设计)人: 张攀 申请(专利权)人: 东莞市佳骏电子科技有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/47;H01L23/367
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523808 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明系提供一种大导通电流的碳化硅二极管,包括竖立设置的肖特基金属板,肖特基金属板的相对两侧均连接有一个阴极模块板,肖特基金属板和两个阴极模块板外包围有陶瓷保护套;肖特基金属板中设有竖立的高导电芯层,高导电芯层的顶部连接有水平的阳极金属层;阴极模块板包括依次层叠于肖特基金属板侧面的N型外延层、N型衬底和欧姆接触层,欧姆接触层的顶部连接有水平的阴极金属层;阳极金属层与阴极金属层之间设有绝缘防护层,绝缘防护层上设有防溢层,防溢层位于阳极金属层和阴极金属层所在平面的上方。本发明能够实现导通电流的倍增效果,整体结构简洁,加工精度要求较低,高导电芯层能够提高碳化硅二极管的响应速度。
搜索关键词: 一种 通电 碳化硅 二极管
【主权项】:
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