[发明专利]一种α/γ-三氧化二铁薄膜电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110459133.5 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113174610B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 谢腾峰;李银银;王德军 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C25B11/077 | 分类号: | C25B11/077;C25B11/087;C25B1/04;C25B1/55 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 张敏 |
地址: | 130012 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
本发明提供了一种α/γ‑三氧化二铁薄膜电极及其制备方法和应用,属于光催化材料技术领域,包括:将前驱体溶液倒在基体表面进行第一次水热煅烧得到α‑三氧化二铁薄膜电极;再进行第二次水热煅烧得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极。本发明通过一次水热煅烧制备第一层α‑三氧化二铁薄膜,再进行二次水热煅烧制备第二层α‑三氧化二铁薄膜,同时第一层薄膜中的α‑三氧化二铁转化成γ‑三氧化二铁,新生成的α‑三氧化二铁薄膜覆盖在γ‑三氧化二铁表面,得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极,充分提高光阳极的光电催化活性,制备的α/γ‑三氧化二铁薄膜电极的光电流为≥0.5mA/cm |
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搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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