[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构制备方法有效
| 申请号： | 202110457946.0 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113178483B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;袁晴霞;童宇诚;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构以及半导体结构制备方法，该半导体结构可以包括设置在基底中的浅沟槽隔离结构，以及至少部分设置在浅沟槽隔离结构上的第一栅极结构，其中，浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于基底的上表面，第一栅极结构可以包括第一介质层和第一导电层，并且第一导电层的顶部两端具有异形凸起。通过在浅沟槽隔离结构上设置第一栅极结构，利用第一栅极结构作为支撑或者用于后续的器件互联，可以充分利用浅沟槽隔离结构上的空间，实现了有效减小半导体结构整体尺寸的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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