[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110447808.4 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113223995A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王飞飞;张继亮;李小康;王裕晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及浅沟槽隔离结构的形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括S1：提供一半导体衬底，半导体衬底内形成有浅沟槽，浅沟槽隔离出有源区；S2：在浅沟槽的侧壁生长浅沟槽侧壁氧化层；S3：在所述氧化层上采用高深宽比沉积工艺形成第一层绝缘介质；以及S4：在该第一层绝缘介质之上采用高密度等离子体沉积工艺形成第二层绝缘介质，从而使STI在晶圆面内的分布均匀，而改善晶圆面内STI在平坦化工艺之后的轮廓，为后续FG平坦化工艺提供充足Window，进而改善wafer edge BIN16fail问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
