[发明专利]一种硫化银薄膜气敏传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202110381490.4 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113249685A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 董孟孟;吕燕飞;赵士超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/24;C23C14/58;C23C18/44;C23C14/04;G01N27/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硫化银薄膜气敏传感器的制备方法，本发明在二氧化硅基底上，首先沉积生长银薄膜，然后气相硫化生成硫化银薄膜，接着在硫化银表面生长钯纳米颗粒，之后再真空镀膜蒸镀铂叉指电极，获得钯修饰硫化银气敏传感器。本发明钯修饰硫化银作为气敏层，对含硫气体具有较好的气敏性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 薄膜 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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