[发明专利]一种双界面层修饰的高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110380752.5 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113193123B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 刘明侦;曾成松;曾鹏;赵海峰;李发明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H10K85/60 分类号: H10K85/60;H10K30/15;H10K71/12;H10K99/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种双界面层修饰的高效钙钛矿太阳能电池,包括依次设置的透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸收层、PMAI层、CsPbBr3量子点、空穴传输层和金属电极;其中PMAI层和CsPbBr3量子点的制备方法为:将溶剂为异丙醇、浓度为1~15mg/mL的PMAI溶液旋涂于钙钛矿吸收层上,获得PMAI层;再将溶剂为氯苯、浓度为2~10mg/mL的CsPbBr3量子点溶液旋涂在PMAI层上,获得CsPbBr3量子点。本发明采用PMAI层和CsPbBr3量子点作为双界面层,修饰钙钛矿吸收层,PMAI层和CsPbBr3量子点的协同作用共同提高了界面的电荷传输性能,实现高效率的钙钛矿太阳能电池。
搜索关键词: 一种 界面 修饰 高效 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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