[发明专利]一种超薄晶圆的划切方法在审
申请号: | 202110369726.2 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113172781A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 张迪;邵俊永;王战;闫贺亮;陈月涛 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | B28D5/02 | 分类号: | B28D5/02;H01L21/78 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 程世芳 |
地址: | 450001 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种超薄晶圆的划切方法,利用跳步划切的方式,首先将晶圆划切为较大芯片颗粒,将晶圆内应力进行释放,然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒,直至划切为目标尺寸,该方法适用于30~200μm厚度晶圆的划切,完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题,降低划切过程中飞晶发生概率,降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率,提高超薄晶圆划切效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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