[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，衬底上的第一堆叠结构中形成有第一沟道孔，第一沟道孔中形成有填充层，第一沟道孔包括目标沟道孔和非目标沟道孔；对目标沟道孔中的填充层进行离子注入，以在目标沟道孔的顶部形成刻蚀停止层；进行第一堆叠结构上第二堆叠结构的刻蚀，直至刻蚀停止层，以在第一沟道孔上方形成第二沟道孔；去除非目标沟道孔中的填充层，在第二沟道孔以及非目标沟道孔中形成存储结构。这样，由于在目标沟道孔的顶部形成有刻蚀停止层，在进行第二堆叠结构的刻蚀以形成第二沟道孔的过程中，能够避免对第一堆叠结构以及目标沟道孔造成损伤，减小目标沟道孔以及其上方的第二沟道孔发生歪曲或倾斜的可能，进而减小漏电风险。