[发明专利]用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构在审
| 申请号： | 202110353166.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097169A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郝凯;祁楠;刘力源;刘剑;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构，包括：基板、带封装芯片和传输线；待封装芯片的第一表面与基板通过锡植球封装结构连接，待封装芯片的第二表面与基板通过镍钯金线键合封装结构连接；连接线分别与锡植球封装结构和镍钯金线键合封装结构连接，用于传输电流或者信号。本公开采用锡植球与镍钯金键合共用的方式，既使得封装具有高稳定性又尽可能缩小封装面积，可以将基板或者下层芯片上走线布置的更加密集，能够适用未来芯片需要集合高工作温度、微型化的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高发 热量 芯片 镍钯金线键合 锡植球 共同 封装 结构 | ||
【主权项】：
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