[发明专利]超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路有效
| 申请号： | 202110349643.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113098471B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周德金;徐宏;黄伟;陈珍海;马君健;李亮 | 申请（专利权）人： | 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214100 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超高速 绝缘 隔离 gan 半桥栅 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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