[发明专利]臭氧氧化工艺及臭氧氧化系统在审
| 申请号： | 202110349049.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113066904A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 韩培丁 | 申请（专利权）人： | 上海钧乾智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/041;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区南*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种臭氧氧化工艺，预先通过所述传输单元将待处理基板输送至所述预热单元；所述预热单元将所述基板加热至50℃‑100℃，得到预热基板；所述传输单元将所述预热基板运送至所述工艺单元，并通过所述工艺单元对所述预热基板进行氧化处理；所述传输单元的传输速度为5毫米/秒‑40毫米/秒，所述预热基板在所述预热单元内的运输时间为25秒‑100秒，以使所述工艺单元内的所述预热基板的温度低于90℃。预热单元和工艺单元单独工作，从而在预热单元内当基板到达反应的温度后，输送至工艺单元进行氧化反应，反应气体不会存在由于温度过高而分解，有效保障了反应气体的浓度。另外，本发明还公开一种臭氧氧化系统。 | ||
| 搜索关键词： | 臭氧 氧化 工艺 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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