[发明专利]超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路在审
| 申请号： | 202110347567.6 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113067567A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈珍海;袁述;卢基存;黎力 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、数字控制电路、调制发送电路、高压隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路一方面采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 绝缘 隔离 sic mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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