[发明专利]一种碳化硅晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202110347348.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113089098B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种碳化硅晶体的生长方法，它属于碳化硅晶体生长方法领域。本发明要解决的技术问题为降低碳化硅晶体的热应力。本发明取碳化硅籽晶，粘接于石墨坩埚上盖，将石墨坩埚加装保温材料放置到单晶生长炉内，抽真空到10‑20Pa以下，之后加热到500‑550℃，保持真空状态1‑2h，然后将氩气充入到单晶生长炉中，压力维持在1atm，之后加热到温度为1900‑2000℃，反应72‑96h，然后停止加热，向单晶生长炉中中充入氖气，充入氖气的速度为0.1‑2vol％/min，充入时间为20‑60min待单晶生长炉的温度冷却至室温，然后将碳化硅晶体取出，切割、打磨后得到碳化硅晶体。本发明有利于热应力的减小和位错的愈合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
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