[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110342691.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113285006B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片还包括位于P型半导体层上的多个出光调节组件，多个出光调节组件呈阵列布置在P型半导体层上，且每个出光调节组件的结构均相同，每个出光调节组件均包括氧化铟锡单元、多个透光墙和多根第一控制导线，多个透光墙沿氧化铟锡单元的周向间隔布置，每根第一控制导线的一端均与一个透光墙连接，第一控制导线用于接收第一控制信号，并将第一控制信号传递至透光墙，第一控制信号用于改变透光墙内的电场大小，以调节透光墙的透光性。该LED芯片可以控制发光二极管芯片侧面的出光方向，使得显示屏幕达到用户希望的显示角度，提高用户的使用体验，避免显示信息泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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