[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜在审

专利信息
申请号: 202110342332.8 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113106417A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王浩林 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/44
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜,该方法包括:步骤1:对金属箔衬底进行预处理;步骤2:将多片预处理后的金属箔衬底与基片形成限域生长结构;步骤3:将步骤2得到的限域生长结构置于气相沉积腔室中,同时将六方氮化硼前驱体置于该气相沉积腔室中;步骤4:向气相沉积腔室通入载气,在金属箔衬底上高温沉积单层六方氮化硼薄膜。本发明提供的制备方法利用多片金属箔衬底和基片形成限域生长结构,能够实现一次性大规模批量制备多片单层六方氮化硼薄膜,产率较高,易于应用到需求量较大实际工业生产当中。
搜索关键词: 一种 氮化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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