[发明专利]功率器件的终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110337663.2 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097288A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;姚阳 | 申请（专利权）人： | 上海埃积半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 杨用玲 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件的终端结构及其制造方法，其中，终端结构包括：N‑衬底、P型体区、第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、多晶硅栅、栅极氧化层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、N+源区、P+区域及源极金属，N‑衬底被划分为元胞区和终端保护区；第一凹槽于元胞区P型体区上开设；第二凹槽于终端保护区P型体区上开设，较第一凹槽深且宽；第三凹槽于终端保护区N‑衬底远离元胞区一侧开设，且内部填充有绝缘材料；第二凹槽内有第一绝缘层和多晶硅栅；源极金属连接P+区域、N+源区和主结区第二凹槽内部多晶硅栅并延伸至第三绝缘层。本发明可大大提高功率器件的耐压可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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