[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110334311.1 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113109995A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/004;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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