[发明专利]一种内弧为多段弧式结构的磁瓦及其制备方法在审
| 申请号： | 202110332215.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113067418A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴翔亮;翁凤华;何小刚 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H02K1/02 | 分类号： | H02K1/02;H02K1/06;H02K15/03;C04B35/622;C04B35/26;H01F7/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张金刚 |
| 地址： | 322118 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内弧为多段弧式结构的磁瓦，包括磁瓦本体，磁瓦本体的内弧面上设有若干个气隙，若干个气隙均为弧形结构；本发明还公开了一种内弧为多段弧式结构的磁瓦的制备方法。本发明在磁瓦本体的内弧面上设有五个气隙，五个弧形结构的气隙使磁瓦本体的内弧工作面与转子之间产生不均匀的间隙，从而降低电机工作时产生的噪音；本发明通过成型法制备的磁瓦本体，对磁瓦本体的磨削量小，材料利用率高，适合于内弧多段弧度公差稍微较大的产品生产；本发明通过磨加工法制备的磁瓦本体，气隙的弧度更加精准，适用于内弧多段弧度精度要求比较高的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多段弧式 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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