[发明专利]双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法

摘要

本发明公开了双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法。双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构，包括衬底；衬底的上方设有高阻区；高阻区上开设有第一窗口，第一窗口内形成有第一填充层；第一窗口与第二窗口相邻设置，第二窗口内形成有第二填充层；高阻区的边缘以及第二填充层内开设有第三窗口，第三窗口内形成有第三填充层；还包括一覆盖在高阻区上方的氧化层，氧化层内埋设有多晶硅条从内至外螺旋状设置的多晶硅层；第一金属层与位于高阻区边缘的第三填充层以及多晶硅层短接；第二金属层与多晶硅层以及第二填充层短接；第三金属层与位于第二填充层内的第三填充层短接。通过集成高压上电启动电阻，提高器件的集成度，降低电路的成本。