[发明专利]存储器单元的印痕避免在审
| 申请号： | 202110295522.9 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN112967742A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | A·卡德罗尼;D·V·N·拉马斯瓦米;K·普拉尔;F·贝代斯基 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C7/04;G11C29/52;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及存储器单元的印痕避免。描述用于操作一个或若干个铁电存储器单元的方法、系统及装置。单元可经写入有值，所述值希望传达不同于通常可与所述值相关联的逻辑状态。例如，已存储与一个逻辑状态相关联的电荷达一个时段的单元可经重写以存储不同电荷，且所述重写单元仍可经读取以具有最初存储的逻辑状态。可将指示符存储于锁存器中以指示当前通过所述单元存储的所述逻辑状态是否为所述单元的预期逻辑状态。单元可(例如)基于事件的发生或基于所述单元已存储一个值(或电荷)达特定时段的确定而周期性地重写有相反值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 印痕 避免 | ||
【主权项】：
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