[发明专利]一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110295022.5 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113023764B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 马安朋 | 申请（专利权）人： | 襄阳汽车职业技术学院 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00;B82Y40/00;C09K11/61;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的方法，在将钙钛矿纳米晶粉末烧结成钙钛矿薄膜过程中，先将干燥的钙钛矿纳米晶粉末放入模具型腔内，并在氮气气氛中使用冷压法将其压制成直径为Φ20mm×10mm圆柱体素坯；将压制好的圆柱体素胚插入Mo坩埚中；随后装入多砧装置，并从6个碳化钨砧轴向上进行六轴挤压。超高压可以大大降低烧结温度，使铜基钙钛矿纳米晶粉末在热裂解温度点以下就可以形成熔融态，同时超高压还可以促进铜基钙钛矿纳米晶粒的重排，择优取向使系统自由能往更低的方向进行，最终获得毫米级厚度的铜基钙钛矿薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜基钙钛矿 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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