[发明专利]近红外图像传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种近红外图像传感器及其制备方法。该近红外图像传感器包括衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域，其中，光电二极管区域包括在衬底上形成的沟槽、以及位于沟槽的内壁上的U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。该制备方法包括：提供衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域；在衬底的光电二极管区域形成沟槽；在沟槽的内壁外延生长U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。近红外图像传感器中沟槽侧壁的第二材料层不止提高了正入射的近红外光的吸收，还有利于斜入射时在侧壁积累的光子的吸收，既减小了串扰又提高了近红外波段的量子效率。