[发明专利]一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统有效
| 申请号： | 202110253802.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112957869B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘景峰 | 申请（专利权）人： | 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/00 | 分类号： | B01D53/00;B01D46/00;B01D9/02 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 耿昕 |
| 地址： | 101300*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统，包括：与晶体生长炉炉膛顶部和炉膛底部分别连通的鼓风装置和挥发物捕捉器，连接在鼓风装置和挥发物捕捉器之间的过滤器；挥发物捕捉器内设置冷凝吸附装置；晶体生长炉炉膛内的气体依次经过挥发物捕捉器冷凝吸附，过滤器过滤，由鼓风装置再次送入晶体生长炉炉膛内。该挥发物处理系统，通过鼓风装置从晶体生长炉炉膛顶部对炉膛内的气体施加压力，气体通过炉膛底部进入挥发物捕捉器，气体中的挥发物被冷凝吸附装置吸附，过滤器将气体中细小颗粒过滤，最后气体通过鼓风装置再次吹入炉膛中，在该系统中形成气体的循环，仅采用系统中已有的气体，不使用惰性气体就能保证晶体生长的质量和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 过程 中的 挥发物 处理 系统 | ||
【主权项】：
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