[发明专利]一种新型源极肖特基接触IGBT结构在审
| 申请号： | 202110249754.0 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113013239A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李平;林凡;廖永波;冯轲;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种新型源极肖特基接触IGBT结构，包括：集电极金属区，与所述集电极金属区上表面接触的P+型集电区，与所述P+型集电区上表面接触的N+型缓冲层，与所述N+型缓冲层上表面接触的N‑型漂移区，与所述N‑型漂移区上表面接触的P型沟道区，与所述P型沟道区上表面接触的肖特基接触金属源区，将所述P型沟道区和部分肖特基接触金属源区包围的环形结构栅电极，在栅电极与相邻功能层之间设置的一层栅介质层。本发明取缔了传统IGBT所寄生的晶闸管结构，解决了困扰着IGBT的闩锁效应，并且可以降低生产成本，减小器件面积，提高电流驱动能力，并降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 源极肖特基 接触 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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