[发明专利]一种高响应度的硅基场效应管太赫兹探测器在审

专利信息
申请号: 202110239270.8 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN113078233A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 谢倩;畅介行;王政 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/119 分类号: H01L31/119;H01L31/0256
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种高响应度的硅基场效应管太赫兹探测器,属于太赫兹探测技术领域。包括减寄生嵌套型衬底、源极区域、漏极区域和栅极区域,减寄生嵌套型衬底包括工作区与减寄生区,工作区位于减寄生区上方,且位于源区与漏区之间;源极区域包括源区与源电极,漏极区域包括漏区与漏电极,栅极区域包括栅氧化层与栅电极。本发明采用减寄生嵌套型衬底,有效提高了探测器的响应度,优化了器件性能;并且与CMOS工艺兼容,具有集成度高、成本低、技术成熟的优势,具有极高的应用价值与潜力。
搜索关键词: 一种 响应 场效应 赫兹 探测器
【主权项】:
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