[发明专利]一种光学器件测试结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110189580.3 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113009624A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨妍;张鹏;孙富君;唐波;李彬;刘若男;谢玲;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/42;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 谷波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种光学器件测试结构及其制作方法，其中结构包括：基底；以及在所述基底上形成的器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域。本公开提供的光学器件测试结构，结合了端面耦合器和光栅耦合器的优点，可以同时解决光芯片的晶圆级测试和芯片封装问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 器件 测试 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110189580.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
